ON Semiconductor MTP3N60E

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

MTP3N60E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Motorola Mobility LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Risk Rank

5.3

Drain Current-Max (ID)

3 A

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3 A

漏极-源极导通最大电阻

2.2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

14 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

290 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

75 W

环境耗散-最大值

75 W