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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.552482
10
¥5.238189
100
¥4.941693
500
¥4.661971
1000
¥4.398084
ON Semiconductor MTP4N40E
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- 对比
MTP4N40E
1807-MTP4N40E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
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4A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, CASE 221A-06, 3 PIN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MTP4N40E详情
ON Semiconductor MTP4N40E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
onsemi
Product Status
活跃
Package Description
CASE 221A-06, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 221A-06
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MTP4N40E
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.15
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
4 A
系列
*
JESD-609代码
e0
无铅代码
有
端子表面处理
锡铅
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
1.8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
14 A
DS 击穿电压-最小值
400 V
雪崩能量等级(Eas)
200 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
MTP4N40E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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