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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.623777
10
¥2.475257
100
¥2.335151
500
¥2.202974
1000
¥2.078277
ON Semiconductor MTSF3N02HDR2
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MTSF3N02HDR2
1807-MTSF3N02HDR2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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4000mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MICROPAK-8
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MTSF3N02HDR2详情
ON Semiconductor MTSF3N02HDR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
8
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package
Bulk
厂商
onsemi
Product Status
活跃
Package Description
MICROPAK-8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MTSF3N02HDR2
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.4
Drain Current-Max (ID)
4 A
系列
*
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
S-PDSO-G8
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
20 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
6.1 A
漏极-源极导通最大电阻
0.04 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
MTSF3N02HDR2拓展信息
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