MTSF3N02HDR2
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ON Semiconductor MTSF3N02HDR2

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型号

MTSF3N02HDR2

utmel 编号

1807-MTSF3N02HDR2

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

4000mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MICROPAK-8

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MTSF3N02HDR2
MTSF3N02HDR2 ON Semiconductor 4000mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MICROPAK-8

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MTSF3N02HDR2详情

ON Semiconductor MTSF3N02HDR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    8

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    onsemi

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    MICROPAK-8

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MTSF3N02HDR2

  • Package Shape

    SQUARE

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.4

  • Drain Current-Max (ID)

    4 A

  • 系列

    *

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    S-PDSO-G8

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 漏源电压 (Vdss)

    20 V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    6.1 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.04 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    20 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: ON Semiconductor MTSF3N02HDR2.

MTSF3N02HDR2拓展信息

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