MTW20P10
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ON Semiconductor MTW20P10

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型号

MTW20P10

utmel 编号

1807-MTW20P10

商品类别

无类别的

封装

28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,20A I(D),TO-247AE

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MTW20P10 ON Semiconductor TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,100V V(BR)DSS,20A I(D),TO-247AE

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MTW20P10详情

ON Semiconductor MTW20P10重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    28-SOJ

  • Memory Types

    Volatile

  • Package Description

    ,

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MTW20P10

  • Manufacturer

    摩托罗拉半导体产品

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MOTOROLA INC

  • Risk Rank

    8.81

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C (TA)

  • 系列

    --

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e0

  • 零件状态

    Obsolete

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 子类别

    其他晶体管

  • 技术

    SRAM - Asynchronous

  • 电压 - 供电

    4.5 V ~ 5.5 V

  • Reach合规守则

    unknown

  • 基本部件号

    IDT7164

  • 配置

    Single

  • 内存大小

    64Kb (8K x 8)

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 访问时间

    35ns

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    35ns

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    20 A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    180 W

0个相似型号

MTW20P10拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS