ON Semiconductor MTW26N15E

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

26 A

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Manufacturer Part Number

MTW26N15E

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Part Life Cycle Code

Obsolete

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

5.89

Rohs Code

无

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩能源评级

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247AE

最大漏极电流 (Abs) (ID)

26 A

漏极-源极导通最大电阻

0.095 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

78 A

DS 击穿电压-最小值

150 V

雪崩能量等级（Eas）

810 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W