ON Semiconductor MTW36N10E
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MTW36N10E
1807-MTW36N10E
集成电路(IC)
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MTW36N10E详情
ON Semiconductor MTW36N10E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
MTW36N10E
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Risk Rank
5.92
Drain Current-Max (ID)
36 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-247
最大漏极电流 (Abs) (ID)
36 A
漏极-源极导通最大电阻
0.058 Ω
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
150 W
环境耗散-最大值
150 W
MTW36N10E拓展信息
ON Semiconductor
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