ON Semiconductor MTW4N80E

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MTW4N80E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Motorola Mobility LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Risk Rank

5.92

Drain Current-Max (ID)

4 A

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4 A

漏极-源极导通最大电阻

3 Ω

DS 击穿电压-最小值

800 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

环境耗散-最大值

150 W