ON Semiconductor MTY100N10E

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

100V

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10640pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

378nC @ 10V

上升时间

490ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

100A

漏极-源极导通最大电阻

0.011Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

雪崩能量等级（Eas）

250 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅