ON Semiconductor MTY16N80E
- 收藏
- 对比
MTY16N80E
1807-MTY16N80E
无类别的
--
大陆
立即发货

MTY16N80E datasheet pdf and Unclassified product details from ON Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
MTY16N80E详情
ON Semiconductor MTY16N80E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
TO-264, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MTY16N80E
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.39
Part Package Code
TO-264AA
Drain Current-Max (ID)
16 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
雪崩 额定
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-264AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
16 A
漏极-源极导通最大电阻
0.5 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
55 A
DS 击穿电压-最小值
800 V
雪崩能量等级(Eas)
1280 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
300 W
MTY16N80E拓展信息







哦! 它是空的。