ON Semiconductor MTY20N50E
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MTY20N50E
1807-MTY20N50E
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MTY20N50E详情
ON Semiconductor MTY20N50E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
MTY20N50E
Turn-on Time-Max (ton)
230 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Motorola Mobility LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Turn-off Time-Max (toff)
360 ns
Risk Rank
5.39
Part Package Code
TO-264AA
Drain Current-Max (ID)
20 A
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
雪崩 额定
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-264AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
20 A
漏极-源极导通最大电阻
0.26 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
2000 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
250 W
反馈上限-最大值 (Crss)
140 pF
环境耗散-最大值
250 W
MTY20N50E拓展信息







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