ON Semiconductor MUN2116T1

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

hFEMin

160

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MUN2116T1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Risk Rank

5.85

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTORS

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

元素配置

Single

功率耗散

230 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

160

连续集电极电流

100 mA

集电极-发射器电压-最大值

50 V

VCEsat-最大值

0.25 V

环境耗散-最大值

0.2 W