ON Semiconductor MUN2230T1
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MUN2230T1
1807-MUN2230T1
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Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
1最小包装量--
MUN2230T1详情
ON Semiconductor MUN2230T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Part Package Code
SC-59
Risk Rank
5.37
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Part Life Cycle Code
Transferred
Number of Elements
1
Manufacturer
Motorola Mobility LLC
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
MUN2230T1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Style
小概要
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
BIP 通用小信号
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
0.2 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
3
集电极-发射器电压-最大值
50 V
VCEsat-最大值
0.25 V
环境耗散-最大值
0.2 W
MUN2230T1拓展信息







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