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ON Semiconductor MUN5111

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型号

MUN5111

utmel 编号

1807-MUN5111

商品类别

无类别的

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

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MUN5111 ON Semiconductor

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MUN5111详情

ON Semiconductor MUN5111重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    8-SOIC

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Voltage-Input

    2.7 V ~ 60 V

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Manufacturer Part Number

    MUN5111

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    摩托罗拉半导体产品

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MOTOROLA INC

  • Risk Rank

    5.71

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 系列

    --

  • 包装

    Tube

  • 零件状态

    Obsolete

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • 基本部件号

    IXI848

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 功能

    电流监控器

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 输出电流

    --

  • 准确性

    ±0.7%

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 感测方法

    High-Side

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    35

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50 V

  • VCEsat-最大值

    0.25 V

  • 环境耗散-最大值

    0.15 W

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技术文档: ON Semiconductor MUN5111.

MUN5111拓展信息

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公司资质

ISO13485
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SMTA
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