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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.116397
10
¥1.053206
100
¥0.993592
500
¥0.937345
1000
¥0.884292
ON Semiconductor MUN5113DW1T1
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- 对比
MUN5113DW1T1
1807-MUN5113DW1T1
无类别的
--
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100mA, 50V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 419B-02, SC-70, SC-88, 6 PIN
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¥
总价: ¥
MUN5113DW1T1详情
ON Semiconductor MUN5113DW1T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
onsemi
Product Status
活跃
RoHS
Compliant
Package Description
CASE 419B-02, SC-70, SC-88, 6 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 419B-02
Reflow Temperature-Max (s)
30
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MUN5113DW1T1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.34
Part Package Code
SC-88
系列
*
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
unknown
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
COMMERCIAL
极性
PNP
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
元素配置
Dual
功率耗散
250 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
80
连续集电极电流
-100 mA
集电极-发射器电压-最大值
50 V
MUN5113DW1T1拓展信息






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