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ON Semiconductor MUN5115DW1T1

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型号

MUN5115DW1T1

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-MUN5115DW1T1

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

100mA, 50V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 419B-02, SC-70, SC-88, 6 PIN

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MUN5115DW1T1
MUN5115DW1T1 ON Semiconductor 100mA, 50V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 419B-02, SC-70, SC-88, 6 PIN

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MUN5115DW1T1详情

技术参数

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ON Semiconductor MUN5115DW1T1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Manufacturer Part Number

    MUN5115DW1T1

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Motorola Mobility LLC

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    MOTOROLA INC

  • Risk Rank

    5.17

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G6

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益（hFE）

    160

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50 V

  • VCEsat-最大值

    0.25 V

  • 环境耗散-最大值

    0.15 W

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor MUN5115DW1T1.

MUN5115DW1T1拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS