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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.401264
500
¥1.030343
1000
¥0.858619
2000
¥0.787723
5000
¥0.736191
10000
¥0.684831
15000
¥0.662307
50000
¥0.651238
ON Semiconductor MUN5213T1
- 收藏
- 对比
MUN5213T1
1807-MUN5213T1
无类别的
SC-70, SOT-323
大陆
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TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MUN5213T1详情
ON Semiconductor MUN5213T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
表面安装
YES
供应商器件包装
SC-70-3 (SOT323)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
Base Product Number
MUN52
厂商
onsemi
Product Status
Obsolete
Package Description
CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 419-04
Reflow Temperature-Max (s)
30
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MUN5213T1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.21
Part Package Code
SC-70
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
202 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 300µA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
80
电阻基(R1)
47 kOhms
电阻-发射极基极(R2)
47 kOhms
集电极-发射器电压-最大值
50 V
MUN5213T1拓展信息






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