ON Semiconductor MUN5312DW1T2
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MUN5312DW1T2
1807-MUN5312DW1T2
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
--最小包装量--
MUN5312DW1T2详情
ON Semiconductor MUN5312DW1T2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
CASE 419B-01, 6 PIN
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 419B-01
Reflow Temperature-Max (s)
30
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MUN5312DW1T2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.26
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
unknown
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
COMMERCIAL
极性
NPN, PNP
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
元素配置
Dual
功率耗散
187 mW
极性/通道类型
NPN和PNP
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
60
连续集电极电流
100 mA
集电极-发射器电压-最大值
50 V
MUN5312DW1T2拓展信息







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