MUN5312DW1T2
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ON Semiconductor MUN5312DW1T2

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型号

MUN5312DW1T2

utmel 编号

1807-MUN5312DW1T2

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon

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MUN5312DW1T2
MUN5312DW1T2 ON Semiconductor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon

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MUN5312DW1T2详情

ON Semiconductor MUN5312DW1T2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    CASE 419B-01, 6 PIN

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    CASE 419B-01

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MUN5312DW1T2

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.26

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 附加功能

    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    240

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    6

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G6

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 极性

    NPN, PNP

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    187 mW

  • 极性/通道类型

    NPN和PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50 V

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    60

  • 连续集电极电流

    100 mA

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50 V

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MUN5312DW1T2拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS