ON Semiconductor MV2101G

包装/外壳

TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)

安装类型

通孔

底架

通孔

二极管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

0.28W

Number of Elements

1

已出版

2006

包装

Bulk

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

HIGH Q, HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.80

电容量

6.8pF

电压 - 额定直流

30V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T2

资历状况

不合格

二极管类型

Single

电容@Vr, F

7.5pF @ 4V 1MHz

频带

高频转超高频

二极管电容-标称

6.8pF

电容比

3.2

电容比环境

C2/C30

二极管容差

10%

最小品质因数

450

Q@Vr，F

450 @ 4V, 50MHz

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅