ON Semiconductor MVB50P03HDLT4G

生命周期状态

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包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Tc

已出版

2006

系列

Automotive, AEC-Q101

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

25m Ω @ 25A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4.9nF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

100nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±15V

RoHS状态

符合RoHS标准