ON Semiconductor N01L163WN1AB2-55I
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N01L163WN1AB2-55I
1807-N01L163WN1AB2-55I
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N01L63WN1A Series 1Mbit ( 64 K X 16 ) Asynchronous CMOS SRAM - BGA-48
1最小包装量--
N01L163WN1AB2-55I详情
ON Semiconductor N01L163WN1AB2-55I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
48
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1000
Manufacturer
CTS
Brand
CTS电子元件
RoHS
Details
Package Description
6 X 8 MM, GREEN, BGA-48
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
64000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
40
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
N01L163WN1AB2-55I
Number of Words
65536 words
Risk Rank
5.77
Ihs Manufacturer
AMI SEMICONDUCTOR
Part Life Cycle Code
Transferred
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
LFBGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
系列
581
包装
Reel
JESD-609代码
e1
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
子类别
Oscillators
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
64KX16
座位高度-最大
1.34 mm
内存宽度
16
产品类别
TCXO
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
输出格式
HCMOS
产品类别
TCXO 振荡器
宽度
6 mm
长度
8 mm
N01L163WN1AB2-55I拓展信息







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