ON Semiconductor N01S830BAT22ET
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N01S830BAT22ET
1807-N01S830BAT22ET
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Serial SRAM Memory, 1 Mb, Ultra-Low-Power, 2.5 to 5.5 V TSSOP-8 (Automotive) 3000 Units/ Tape & Reel
1最小包装量--
N01S830BAT22ET详情
ON Semiconductor N01S830BAT22ET重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
表面安装
YES
终端数量
8
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Manufacturer
安森美半导体
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Package Code
948BJ
Manufacturer Part Number
N01S830BAT22ET
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
131072 words
Number of Words Code
128000
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSSOP
Package Description
TSSOP,
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Part Life Cycle Code
活跃
Risk Rank
5.54
RoHS
Compliant
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8542.32.00.41
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G8
Brand Name
安森美半导体
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
AUTOMOTIVE
电源电压-最小值(Vsup)
2.5 V
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
128KX8
座位高度-最大
1.1 mm
内存宽度
8
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
标准SRAM
长度
4.4 mm
宽度
3 mm
N01S830BAT22ET拓展信息







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