ON Semiconductor N01S830HAT22I

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

表面安装

YES

引脚数

8

Memory Types

Volatile

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tube

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 供电

2.5V~5.5V

端子位置

DUAL

功能数量

1

端子间距

0.65mm

内存大小

1Mb 128K x 8

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

20MHz

内存格式

SRAM

内存接口

SPI

内存宽度

8

并行/串行

SERIAL

电压 - 供电 （最大值）

5.5V

电压 - 供电 （最小值）

2.5V

长度

4.4mm

座位高度(最大)

1.1mm

宽度

3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅