ON Semiconductor N02L163WN1AB2-55I
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N02L163WN1AB2-55I
1807-N02L163WN1AB2-55I
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128KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PBGA48, 6 X 8 MM, GREEN, BGA-48
1最小包装量--
N02L163WN1AB2-55I详情
ON Semiconductor N02L163WN1AB2-55I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
48
Package Description
6 X 8 MM, GREEN, BGA-48
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA48,6X8,30
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
40
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
N02L163WN1AB2-55I
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
LFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
AMI Semiconductor
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
AMI SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.76
JESD-609代码
e1
端子表面处理
锡银铜
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3/3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.016 mA
组织结构
128KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.34 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00001 A
记忆密度
2097152 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
1.8 V
宽度
6 mm
长度
8 mm
N02L163WN1AB2-55I拓展信息







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