ON Semiconductor N02L163WN1AT2-55I
- 收藏
- 对比
N02L163WN1AT2-55I
1807-N02L163WN1AT2-55I
无类别的
--
大陆
立即发货

N02L163WN1A Series 2 Mbit ( 128 K X 16 ) Asynchronous CMOS SRAM - TSOP II-44
1最小包装量--
N02L163WN1AT2-55I详情
ON Semiconductor N02L163WN1AT2-55I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
44
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Manufacturer
CTS
Brand
CTS电子元件
RoHS
Details
Package Description
LSSOP, TSOP44,.46,32
Package Style
SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSOP44,.46,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
40
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
N02L163WN1AT2-55I
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
LSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.64
Part Package Code
TSOP2
系列
521
包装
Reel
JESD-609代码
e3/e4
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
Oscillators
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
引脚数量
44
JESD-30代码
R-PDSO-G44
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3/3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.016 mA
组织结构
128KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.25 mm
内存宽度
16
产品类别
TCXO
待机电流-最大值
0.00001 A
记忆密度
2097152 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
输出格式
HCMOS
待机电压-最小值
1.8 V
产品类别
TCXO 振荡器
宽度
10.16 mm
长度
18.41 mm
达到SVHC
compliant
N02L163WN1AT2-55I拓展信息







哦! 它是空的。