ON Semiconductor N02L83W2AN25I
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N02L83W2AN25I
1807-N02L83W2AN25I
存储器
32-LFSOP (0.465, 11.80mm Width)
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IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP I
1最小包装量--
N02L83W2AN25I详情
ON Semiconductor N02L83W2AN25I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
包装/外壳
32-LFSOP (0.465, 11.80mm Width)
安装类型
表面贴装
Memory Types
Volatile
已出版
2008
包装
Tray
操作温度
-40°C~85°C TA
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
32
ECCN 代码
3A991.B.2.A
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
2.3V~3.6V
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.5mm
Reach合规守则
unknown
基本部件号
N02L83W2A
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PDSO-G32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源
3/3.3V
电源电压-最小值(Vsup)
2.3V
内存大小
2Mb 256K x 8
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256KX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
待机电流-最大值
0.00001A
记忆密度
2097152 bit
访问时间(最大)
70 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
1.8V
宽度
8mm
座位高度(最大)
1.25mm
长度
11.8mm
RoHS状态
符合RoHS标准
N02L83W2AN25I拓展信息
ON Semiconductor
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