ON Semiconductor N64S0830HDAS2-20I
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N64S0830HDAS2-20I
1807-N64S0830HDAS2-20I
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N64S0830HD Series 64 kbit ( 8 K X 8 ) Low Power Serial SRAM - SOIC-8
1最小包装量--
N64S0830HDAS2-20I详情
ON Semiconductor N64S0830HDAS2-20I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
Ihs Manufacturer
AMI SEMICONDUCTOR
Manufacturer
AMI Semiconductor
Manufacturer Part Number
N64S0830HDAS2-20I
Number of Words
8192 words
Number of Words Code
8000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
SOP
Package Description
0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Part Life Cycle Code
Transferred
Reflow Temperature-Max (s)
40
Risk Rank
5.79
Rohs Code
有
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
JESD-609代码
e3/e4
端子表面处理
MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
8KX8
座位高度-最大
1.75 mm
内存宽度
8
记忆密度
65536 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
标准SRAM
长度
4.9 mm
宽度
3.91 mm
N64S0830HDAS2-20I拓展信息







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