ON Semiconductor NCV1413BDR2
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NCV1413BDR2
1807-NCV1413BDR2
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Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 16 Pin
1最小包装量--
NCV1413BDR2详情
ON Semiconductor NCV1413BDR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Obsolete (Last Updated: 2 years ago)
表面安装
YES
引脚数
16
终端数量
16
晶体管元件材料
SILICON
Brand
CTS电子元件
RoHS
Details
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1000
Manufacturer
CTS
hFEMin
1000
Voltage Rating (DC)
50 V
Manufacturer Lifecycle Status
OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)
Package Description
CASE 751B-05, SOIC-16
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
751B-05
Reflow Temperature-Max (s)
30
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
NCV1413BDR2
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
7
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
7.9
Part Package Code
SOIC
包装
Reel
系列
532
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
逻辑电平兼容
子类别
Oscillators
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
500 mA
引脚数量
16
JESD-30代码
R-PDSO-G16
资历状况
不合格
Brand Name
安森美半导体
极性
NPN
配置
COMPLEX
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
产品类别
TCXO
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大集电极电流
500 mA
输出格式
削波正弦波
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
1000
集电极-发射器电压-最大值
50 V
产品类别
TCXO 振荡器
无铅
含铅
NCV1413BDR2拓展信息







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