ON Semiconductor NCV2333DR2G
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NCV2333DR2G
1807-NCV2333DR2G
线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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IC OPAMP ZERO-DRIFT 2 CIRC 8SOIC
--最小包装量--
NCV2333DR2G详情
ON Semiconductor NCV2333DR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
17 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-40°C~125°C
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q100
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
2
电源电压
3.3V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G8
输出类型
Rail-to-Rail
电路数量
2
电流源
21μA
压摆率
0.15V/μs
放大器类型
Zero-Drift
共模拒绝率
118 dB
输入偏正电流
60pA
电压 - 电源,单/双路(±)
1.8V~5.5V
增益带宽积
270kHz
统一增益 BW-(标准值)
255 kHz
平均偏置电流-最大值 (IIB)
0.0004μA
电源电压限制-最大值
7V
电压 - 输入断态
6μV
长度
4.9mm
座位高度(最大)
1.75mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NCV2333DR2G拓展信息
ON Semiconductor
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