ON Semiconductor NCV33204DR2
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NCV33204DR2
1807-NCV33204DR2
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NCV33204DR2详情
ON Semiconductor NCV33204DR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
14
Common-mode Reject Ratio-Nom
90 dB
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Manufacturer Part Number
NCV33204DR2
Operating Temperature-Max
125 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
SOP
Package Description
SOP,
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Part Life Cycle Code
活跃
Part Package Code
SOIC
Reflow Temperature-Max (s)
30
Risk Rank
5.39
Rohs Code
无
Slew Rate-Nom
1 V/us
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
子类别
运算放大器
技术
BIPOLAR
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
4
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
14
JESD-30代码
R-PDSO-G14
资历状况
COMMERCIAL
温度等级
MILITARY
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
座位高度-最大
1.75 mm
统一增益 BW-(标准值)
2200 kHz
平均偏置电流-最大值 (IIB)
0.5 µA
电源电压限制-最大值
13 V
输入失调电压-最大值
17000 µV
长度
8.65 mm
宽度
3.9 mm
NCV33204DR2拓展信息







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