ON Semiconductor NDB6020P

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

1.31247g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

24A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

60W Tc

Turn Off Delay Time

120 ns

操作温度

-65°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1998

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

50mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

-20V

终端形式

鸥翼

额定电流

-24A

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

60W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 12A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1590pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 5V

上升时间

27ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

70 ns

连续放电电流(ID)

24A

阈值电压

-700mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

-20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

70A

高度

11.33mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅