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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 引脚数 | 质量 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 电阻 | 端子表面处理 | 附加功能 | 电压 - 额定直流 | 终端形式 | 额定电流 | JESD-30代码 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs（最大值） | 下降时间（典型值） | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NDB6020P | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 3 | 1.31247g | SILICON | 120 ns | 24A Tc | 4.5V | 1 | 60W Tc | 1V @ 250μA | -65°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1998 | e3 | yes | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago) | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | 50mOhm | Tin (Sn) | 逻辑电平兼容 | -20V | 鸥翼 | -24A | R-PSSO-G2 | Single | 增强型MOSFET | 60W | DRAIN | 15 ns | P-Channel | SWITCHING | 50m Ω @ 12A, 4.5V | 1590pF @ 10V | 35nC @ 5V | 27ns | 20V | ±8V | 70 ns | 24A | -700mV | 8V | -20V | 70A | 11.33mm | 10.67mm | 4.83mm | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 |
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