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'ndb603a'

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category.单MOSFET晶体管 (3)

所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

供应商器件包装

晶体管元件材料

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

端子表面处理

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

配置

操作模式

箱体转运

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

雪崩能量等级（Eas）

场效应管特性

达到SVHC

RoHS状态

NDB603AL

Rochester Electronics, LLC

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

YES

SILICON

50W Tc

25A Tc

4.5V 10V

1

3V @ 250μA

-65°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

e0

no

Obsolete

1 (Unlimited)

2

锡铅

SINGLE

鸥翼

未说明

未说明

R-PSSO-G2

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

22m Ω @ 25A, 10V

1.1pF @ 15V

40nC @ 10V

30V

±20V

25A

0.022Ohm

100A

30V

100 mJ

unknown

Non-RoHS Compliant

NDB603AL

Fairchild Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

D2PAK (TO-263)

Bulk

25A (Tc)

Fairchild Semiconductor

4.5V, 10V

50W (Tc)

Obsolete

3V @ 250µA

-65°C ~ 175°C (TJ)

-

MOSFET (Metal Oxide)

N-Channel

22mOhm @ 25A, 10V

1100 pF @ 15 V

40 nC @ 10 V

30 V

±20V

-

NDB603AL

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

D2PAK (TO-263AB)

4.5V 10V

50W Tc

25A Tc

3V @ 250μA

-65°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

1998

Obsolete

1 (Unlimited)

N-Channel

22mOhm @ 25A, 10V

1100pF @ 15V

40nC @ 10V

30V

±20V

Non-RoHS Compliant