ON Semiconductor NDB608BL

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

NDB608BL

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Texas

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.69

Drain Current-Max (ID)

32 A

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

漏极-源极导通最大电阻

0.045 Ω

DS 击穿电压-最小值

80 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

环境耗散-最大值

100 W