显示的结果

'ndd02n401g'

1结果
  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

JESD-30代码

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

Rds On(Max)@Id,Vgs

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

Vgs(最大值)

下降时间(典型值)

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

辐射硬化

RoHS状态

无铅

NDD02N40-1G
NDD02N40-1G
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

18 Weeks

通孔

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NO

4

SILICON

1.7A Tc

10V

1

39W Tc

14 ns

2V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Tube

2010

e3

yes

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 19 hours ago)

3 (168 Hours)

3

EAR99

Tin (Sn)

R-PSIP-T3

Single

增强型MOSFET

39W

DRAIN

5 ns

N-Channel

5.5 Ω @ 220mA, 10V

无卤素

121pF @ 25V

5.5nC @ 10V

7ns

±20V

4 ns

1.7A

20V

0.0055Ohm

400V

6.9A

无

符合RoHS标准

无铅