注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.484074
10
¥8.947237
100
¥8.440789
500
¥7.963012
1000
¥7.51227
ON Semiconductor NDH8321C
- 收藏
- 对比
NDH8321C
1807-NDH8321C
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
立即发货

Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NDH8321C详情
ON Semiconductor NDH8321C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
面板安装
表面安装
YES
越来越多的功能
Flange
外壳材料
Composite
插入材料
-
终端数量
8
后壳材料,电镀
-
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
-
Package
Bulk
Primary Material
Composite
Base Product Number
D38999/20JG
厂商
Amphenol Aerospace Operations
Product Status
活跃
Contact Materials
Copper Alloy
Contact Finish Mating
Gold
Package Description
SUPERSOT-8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NDH8321C
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.39
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
3.8 A
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
Military, MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ TV
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
终端
Crimp
连接器类型
Receptacle, Female Sockets
定位的数量
4 (Twinax)
端子表面处理
哑光锡
颜色
橄榄色
应用
Aviation, Marine, Military
紧固类型
Threaded
额定电流
-
端子位置
DUAL
方向
A
终端形式
鸥翼
屏蔽/屏蔽
Shielded
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
入口保护
抗环境干扰
Reach合规守则
unknown
外壳完成
橄榄色镉
引脚数量
8
外壳尺寸-插入
21-75
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
COMMERCIAL
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
外壳尺寸,MIL
G
电缆开口
-
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.035 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
-
触点表面处理厚度 - 配套
50.0µin (1.27µm)
材料可燃性等级
-
NDH8321C拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






哦! 它是空的。