NDH8321C
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ON Semiconductor NDH8321C

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型号

NDH8321C

utmel 编号

1807-NDH8321C

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDH8321C
NDH8321C ON Semiconductor Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDH8321C详情

ON Semiconductor NDH8321C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    面板安装

  • 表面安装

    YES

  • 越来越多的功能

    Flange

  • 外壳材料

    Composite

  • 插入材料

    -

  • 终端数量

    8

  • 后壳材料,电镀

    -

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Voltage, Rating

    -

  • Package

    Bulk

  • Primary Material

    Composite

  • Base Product Number

    D38999/20JG

  • 厂商

    Amphenol Aerospace Operations

  • Product Status

    活跃

  • Contact Materials

    Copper Alloy

  • Contact Finish Mating

    Gold

  • Package Description

    SUPERSOT-8

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    NDH8321C

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.39

  • Part Package Code

    SOT

  • Drain Current-Max (ID)

    3.8 A

  • 操作温度

    -65°C ~ 175°C

  • 系列

    Military, MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ TV

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • 终端

    Crimp

  • 连接器类型

    Receptacle, Female Sockets

  • 定位的数量

    4 (Twinax)

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 颜色

    橄榄色

  • 应用

    Aviation, Marine, Military

  • 紧固类型

    Threaded

  • 额定电流

    -

  • 端子位置

    DUAL

  • 方向

    A

  • 终端形式

    鸥翼

  • 屏蔽/屏蔽

    Shielded

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 入口保护

    抗环境干扰

  • Reach合规守则

    unknown

  • 外壳完成

    橄榄色镉

  • 引脚数量

    8

  • 外壳尺寸-插入

    21-75

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 外壳尺寸,MIL

    G

  • 电缆开口

    -

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.035 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    20 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 特征

    -

  • 触点表面处理厚度 - 配套

    50.0µin (1.27µm)

  • 材料可燃性等级

    -

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技术文档: ON Semiconductor NDH8321C.

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