ON Semiconductor NDH8502P

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SUPERSOT-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NDH8502P

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.4

Part Package Code

SOT

Drain Current-Max (ID)

2.2 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

COMMERCIAL

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.11 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

信道型

Dual P

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR