ON Semiconductor NDH8504P

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

2.7 A

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Manufacturer Part Number

NDH8504P

Number of Elements

2

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

SUPERSOT-8

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Part Life Cycle Code

Obsolete

Part Package Code

SOT

Risk Rank

5.8

Rohs Code

无

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.7 A

漏极-源极导通最大电阻

0.07 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.8 W