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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.057871
10
¥9.48856
100
¥8.951471
500
¥8.444781
1000
¥7.966776
ON Semiconductor NDH8521C
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- 对比
NDH8521C
1807-NDH8521C
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
4-SMD, No Lead
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MOSFET
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¥
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NDH8521C详情
ON Semiconductor NDH8521C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SG-8101
厂商
EPSON
Product Status
活跃
Package Description
SUPERSOT-8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
NDH8521C
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.4
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
3.8 A
操作温度
-40°C ~ 105°C
系列
SG-8101
尺寸/尺寸
0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)
类型
XO (Standard)
端子表面处理
未说明
电压 - 供电
1.8V ~ 3.3V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
频率
114.5 MHz
频率稳定性
±20ppm
输出量
CMOS
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
功能
Standby (Power Down)
基本谐振器
Crystal
最大电流源
6.8mA (Typ)
资历状况
COMMERCIAL
电流 - 电源(禁用)(最大值)
1.1µA
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
扩频带宽
-
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.033 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
绝对牵引范围 (APR)
-
座位高度(最大)
0.055 (1.40mm)
评级结果
-
NDH8521C拓展信息
ON Semiconductor
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