NDH8521C
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ON Semiconductor NDH8521C

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型号

NDH8521C

utmel 编号

1807-NDH8521C

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

4-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET

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NDH8521C
NDH8521C ON Semiconductor MOSFET

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NDH8521C详情

ON Semiconductor NDH8521C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    4-SMD, No Lead

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    SG-8101

  • 厂商

    EPSON

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    SUPERSOT-8

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Part Number

    NDH8521C

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.4

  • Part Package Code

    SOT

  • Drain Current-Max (ID)

    3.8 A

  • 操作温度

    -40°C ~ 105°C

  • 系列

    SG-8101

  • 尺寸/尺寸

    0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

  • 类型

    XO (Standard)

  • 端子表面处理

    未说明

  • 电压 - 供电

    1.8V ~ 3.3V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • 频率

    114.5 MHz

  • 频率稳定性

    ±20ppm

  • 输出量

    CMOS

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 功能

    Standby (Power Down)

  • 基本谐振器

    Crystal

  • 最大电流源

    6.8mA (Typ)

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 电流 - 电源(禁用)(最大值)

    1.1µA

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 扩频带宽

    -

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.033 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 绝对牵引范围 (APR)

    -

  • 座位高度(最大)

    0.055 (1.40mm)

  • 评级结果

    -

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技术文档: ON Semiconductor NDH8521C.

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