NDS0605-F169
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ON Semiconductor NDS0605-F169

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型号

NDS0605-F169

utmel 编号

1807-NDS0605-F169

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -60V, -0.18A, 5Ω, 3000-REEL

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NDS0605-F169
NDS0605-F169 ON Semiconductor P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -60V, -0.18A, 5Ω, 3000-REEL

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NDS0605-F169详情

ON Semiconductor NDS0605-F169重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 years ago)

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    SOT-23-3

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    180mA (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • 厂商

    onsemi

  • Power Dissipation (Max)

    360mW (Ta)

  • Product Status

    Obsolete

  • Manufacturer Lifecycle Status

    ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    SOT-23, 3 PIN

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    318BM

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Manufacturer Part Number

    NDS0605-F169

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.7

  • Drain Current-Max (ID)

    0.18 A

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 无铅代码

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • Brand Name

    安森美半导体

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    5Ohm @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    79 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    2.5 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    5 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.36 W

  • 场效应管特性

    -

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