ON Semiconductor NDS0605-F169
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NDS0605-F169
1807-NDS0605-F169
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -60V, -0.18A, 5Ω, 3000-REEL
--最小包装量--
NDS0605-F169详情
ON Semiconductor NDS0605-F169重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
供应商器件包装
SOT-23-3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
180mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
厂商
onsemi
Power Dissipation (Max)
360mW (Ta)
Product Status
Obsolete
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
RoHS
Compliant
Package Description
SOT-23, 3 PIN
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
318BM
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
NDS0605-F169
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.7
Drain Current-Max (ID)
0.18 A
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
无铅代码
有
技术
MOSFET (Metal Oxide)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G3
Brand Name
安森美半导体
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
79 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.5 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
60 V
Vgs(最大值)
±20V
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
5 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.36 W
场效应管特性
-
NDS0605-F169拓展信息
ON Semiconductor
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