ON Semiconductor NDS0610-PG
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NDS0610-PG
1807-NDS0610-PG
无类别的
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET P-CH 60V SOT-23
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NDS0610-PG详情
ON Semiconductor NDS0610-PG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
SOT-23-3 (TO-236)
Package
Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
厂商
onsemi
Power Dissipation (Max)
360mW (Ta)
Product Status
Obsolete
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
79 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.5 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
60 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
NDS0610-PG拓展信息







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