ON Semiconductor NDS332P

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD RATED

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

300m Ω @ 1.1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

195pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

连续放电电流(ID)

1A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

漏源击穿电压

-20V

宽度

3.05mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅