'nds336p_d87z'
4结果- 所有品牌
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 晶体管元件材料 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 端子表面处理 | 附加功能 | 电压 - 额定直流 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | JEDEC-95代码 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管特性 | RoHS状态 | 无铅 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NDS336P | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3 | 1.2A Ta | 2.7V 4.5V | 1 | 500mW Ta | 33 ns | 1V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1997 | Obsolete | 1 (Unlimited) | -20V | -1.2A | Single | 500mW | P-Channel | 200m Ω @ 1.3A, 4.5V | 360pF @ 10V | 8.5nC @ 4.5V | 29ns | 20V | ±8V | 29 ns | 1.2A | 8V | -20V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS336P | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | YES | 3 | SILICON | 1 | 2.7V 4.5V | 1.2A Ta | 500mW Ta | 1V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | 哑光锡 | 逻辑电平兼容 | DUAL | 鸥翼 | 260 | 未说明 | R-PDSO-G3 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | P-Channel | SWITCHING | 200m Ω @ 1.3A, 4.5V | 360pF @ 10V | 8.5nC @ 4.5V | 20V | ±8V | TO-236AB | 1.2A | 0.2Ohm | 20V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||
NDS336P | Fairchild | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 | Obsolete | 500mW (Ta) | Fairchild Semiconductor | 2.7V, 4.5V | 1.2A (Ta) | Bulk | 1V @ 250µA | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | MOSFET (Metal Oxide) | P-Channel | 200mOhm @ 1.3A, 4.5V | 360 pF @ 10 V | 8.5 nC @ 4.5 V | 20 V | ±8V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NDS336P-VB | VBsemi Elec | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 |




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