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'nds356ap_nl'

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	引脚数	供应商器件包装	质量	晶体管元件材料			厂商						Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id	操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	终端	ECCN 代码	电阻	端子表面处理	附加功能	电压 - 额定直流	技术	端子位置	终端形式	额定电流	元素配置	操作模式	功率耗散	接通延迟时间	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	栅极至源极电压(Vgs)	漏源击穿电压	双电源电压	场效应管特性	栅源电压	宽度	辐射硬化	达到SVHC
NDS356AP-NL-ML	MOSLEADER	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				MOSLEADER								Tape & Reel (TR)					活跃
NDS356AP	ON Semiconductor	数据表	3296 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	表面贴装	表面贴装	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3	30mg	SILICON	53 ns		500mW Ta	4.5V 10V	1.1A Ta		1	2.5V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	1997		e3	yes	ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)	1 (Unlimited)	3	SMD/SMT	EAR99	300mOhm	Tin (Sn)	逻辑电平兼容	-30V		DUAL	鸥翼	-1.1A	Single	增强型MOSFET	500mW	8 ns	P-Channel	SWITCHING	200m Ω @ 1.3A, 10V	280pF @ 10V	4.4nC @ 5V	17ns	30V	±20V	17 ns	1.1A	20V	-30V	-30V		-2 V	3.05mm	无	无SVHC	ROHS3 Compliant	无铅
NDS356AP-VB	VBsemi Elec	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
NDS356AP-NB8L005A	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3		1.1A Ta	4.5V 10V		500mW Ta					2.5V @ 250μA	-55°C~150°C TJ						LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)	供应商未定义																P-Channel		200m Ω @ 1.3A, 10V	280pF @ 10V	4.4nC @ 5V		30V	±20V											符合RoHS标准
NDS356AP-NB8L005A	Fairchild	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		SOT-23-3			Bulk	1.1A (Ta)	Fairchild Semiconductor	4.5V, 10V	500mW (Ta)	活跃			2.5V @ 250µA	-55°C ~ 150°C (TJ)			-												MOSFET (Metal Oxide)								P-Channel		200mOhm @ 1.3A, 10V	280 pF @ 10 V	4.4 nC @ 5 V		30 V	±20V						-