对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 外壳材料 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 连接器类型 | 电阻 | 端子表面处理 | 子类别 | 电压 - 额定直流 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 终端样式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 接头数量 | 配置 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 极性/通道类型 | 下降时间(典型值) | 产品类别 | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 双电源电压 | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 外壳电镀 | 场效应管特性 | 产品 | 产品类别 | 知识产权评级 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||
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NDT454P. | Fairchild | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Gold | 表面贴装 | TO-261-4, TO-261AA | Brass | SOT-223-4 | Bulk | Fairchild Semiconductor | NDT454 | 5.9A (Ta) | 4.5V, 10V | 3W (Ta) | 活跃 | 0.458562 oz | 25 | Cable | SGNEGG.0K.07.CLL | Bulgin | Bulgin | 推拉连接器 | 2.7V @ 250µA | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | - | Fixed Socket (Receptacle) | Circular Connectors | MOSFET (Metal Oxide) | Solder | 7 Contact | P-Channel | 50mOhm @ 5.9A, 10V | 950 pF @ 15 V | 40 nC @ 10 V | 30 V | ±20V | 圆形推拽连接器 | Nickel | - | Connectors | 圆形推拽连接器 | IP66 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NDT454P | National Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 4 | -30 V | -5.9 A | 3 W | -30 V | -5.9 A | -30 V | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDT454P | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-261-4, TO-261AA | 4 | 250.2mg | SILICON | 1 | 3W Ta | 80 ns | 5.9A Ta | 4.5V 10V | 2.7V @ 250μA | -65°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1997 | e3 | yes | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) | 1 (Unlimited) | 4 | SMD/SMT | EAR99 | 50mOhm | Tin (Sn) | -30V | DUAL | 鸥翼 | -5.9A | Single | 增强型MOSFET | 3W | DRAIN | 10 ns | P-Channel | SWITCHING | 50m Ω @ 5.9A, 10V | 950pF @ 15V | 40nC @ 10V | 18ns | 30V | ±20V | 45 ns | -5.9A | -2.7V | 20V | -30V | -30V | 1.7mm | 6.7mm | 3.7mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NDT454P-VB | VBsemi Elec | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDT454P_NL | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 4 | SILICON | 1 | 150 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | 未说明 | NDT454P_NL | 有 | Obsolete | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 5.39 | 5.9 A | EAR99 | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | compliant | R-PDSO-G4 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | P-CHANNEL | 5.9 A | 0.05 Ω | 15 A | 30 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 3 W |
NDT454P.
Fairchild
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NDT454P
National Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NDT454P
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NDT454P-VB
VBsemi Elec
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NDT454P_NL
ON Semiconductor
分类:Integrated Circuits (ICs)


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