ON Semiconductor NE5532DR2

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

包装/外壳

SOIC

表面安装

YES

引脚数

16

包装

卷带

已出版

2006

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

16

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

70°C

最小工作温度

0°C

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

功能数量

2

电源电压

15V

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

16

资历状况

不合格

工作电源电压

20V

电源

+-15V

温度等级

COMMERCIAL

通道数量

2

电源电流

8mA

功率耗散

1.2W

输出电流

38mA

压摆率

9 V/μs

建筑学

VOLTAGE-FEEDBACK

放大器类型

OPERATIONAL AMPLIFIER

共模拒绝率

70 dB

输入偏正电流

800nA

输入失调电压(Vos)

4mV

增益带宽积

10MHz

负电源电压(Vsup)

-15V

统一增益 BW-（标准值）

10000 kHz

电压增益

100dB

平均偏置电流-最大值 (IIB)

1μA

电源抑制比

100dB

低偏移

NO

频率补偿

YES

最大双电源电压

20V

最小双电源电压

3V

最大偏置电流 (IIB) @25C

0.8μA

标称增益带宽积

10MHz

长度

10.3mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅