ON Semiconductor NGD8201N

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

CASE 369C-01, DPAK-3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

11000 ns

Manufacturer Package Code

CASE 369C-01

Turn-off Time-Nom (toff)

13000 ns

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NGD8201N

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Rise Time-Max (tr)

14000 ns

Risk Rank

5.73

Part Package Code

TO-252

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

绝缘栅BIP晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

汽车点火装置

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大耗散功率(Abs)

115 W

集电极电流-最大值(IC)

20 A

集电极-发射器电压-最大值

435 V

栅极-发射极电压-最大值

15 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

2.3 V

最大下降时间 (tf)

7000 ns