ON Semiconductor NID9N05BCLT4G

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

供应商器件包装

DPAK

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Base Product Number

NID9N05

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

369C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

175 °C

Manufacturer Part Number

NID9N05BCLT4G

Turn-on Time-Max (ton)

950 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Turn-off Time-Max (toff)

3850 ns

Risk Rank

0.77

Drain Current-Max (ID)

9 A

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

输出的数量

1

输出类型

N-Channel

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

界面

On/Off

最大输出电流

9A

输出配置

低侧

操作模式

增强型MOSFET

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

不需要

箱体转运

DRAIN

输入类型

Non-Inverting

开关类型

Relay, Solenoid Driver

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

比率-输入：输出

1:1

电压-负荷

52V (Max)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9 A

漏极-源极导通最大电阻

0.181 Ω

故障保护

过电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

35 A

DS 击穿电压-最小值

52 V

雪崩能量等级（Eas）

160 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.74 W

Rds On(Typ)

90mOhm

反馈上限-最大值 (Crss)

40 pF

特征

-