ON Semiconductor NILMS4501NR2G

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-PowerDFN

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.5A Ta

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.4W Ta

Turn Off Delay Time

22.5 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

24V

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

9.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

4

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.7W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

13m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1500pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

6.5 ns

连续放电电流(ID)

9.5A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏极-源极导通最大电阻

0.016Ohm

漏源击穿电压

24V

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

场效应管特性

电流感应

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅