ON Semiconductor NIS6111QPT1G
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NIS6111QPT1G
1807-NIS6111QPT1G
PMIC - OR 控制器,理想二极管
32-PowerQFN
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Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers 24V 30A High Speed Ultra Eff. Diode
1最小包装量--
NIS6111QPT1G详情
ON Semiconductor NIS6111QPT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
32-PowerQFN
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~125°C
包装
Tape & Reel (TR)
系列
BERS™
已出版
2005
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
11
ECCN 代码
EAR99
类型
N+1 ORing Controller
端子表面处理
Tin (Sn)
应用
Flyback, Forward Converters
HTS代码
8541.10.00.80
电压 - 供电
4.8V~5.2V
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NIS6111
引脚数量
32
JESD-30代码
S-PQCC-N11
资历状况
不合格
配置
COMPLEX
电流源
1.3mA
场效应管类型
N-Channel
相位的数量
1
比率-输入:输出
N:1
Rep Pk反向电压-最大值
24V
最大非代表Pk前进电流
90A
内部开关
有
正向电压-最大值
1.2V
延迟时间-关闭
35ns
延迟时间-打开
45ns
RoHS状态
符合RoHS标准
NIS6111QPT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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