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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.987992
10
¥6.592442
100
¥6.219285
500
¥5.867253
1000
¥5.535141
ON Semiconductor NM25C020LEMT8
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NM25C020LEMT8
1807-NM25C020LEMT8
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IC EEPROM 2KBIT Spi 1MHZ 8TSSOP
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NM25C020LEMT8详情
ON Semiconductor NM25C020LEMT8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
Package
Bulk
Base Product Number
KJ0T1
厂商
ITT Cannon, LLC
Product Status
活跃
RoHS
Non-Compliant
Package Description
TSSOP,
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Number of Words Code
256
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
NM25C020LEMT8
Clock Frequency-Max (fCLK)
2.1 MHz
Number of Words
256 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.67
Part Package Code
SOIC
系列
*
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
DATA RETENTION > 40 YEARS
HTS代码
8542.32.00.51
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
256X8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
记忆密度
2048 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
EEPROM
串行总线类型
SPI
写入周期时间 - 最大值
10 ms
数据保持时间
40
宽度
3 mm
长度
4.4 mm
NM25C020LEMT8拓展信息






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