ON Semiconductor NM27C010VE150
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NM27C010VE150
1807-NM27C010VE150
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OTP ROM, 128KX8, 150NS, CMOS, PQCC32
1最小包装量--
NM27C010VE150详情
ON Semiconductor NM27C010VE150重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
32
Package
Tray
厂商
Apacer Memory America
Product Status
活跃
Memory Types
CompactFlash®
Number of Words
131072 words
Manufacturer Part Number
NM27C010VE150
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
85 °C
Access Time-Max
150 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Equivalence Code
LDCC32,.5X.6
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
128000
Package Style
CHIP CARRIER
Package Description
QCCJ, LDCC32,.5X.6
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
QCCJ
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.23
Part Package Code
QFJ
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
Industrial CF
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.71
子类别
OTP ROM
技术
SLC
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PQCC-J32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
内存大小
8GB
速度
-
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.03 mA
组织结构
128KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.56 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.0001 A
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
OTP ROM
长度
13.995 mm
宽度
11.455 mm
NM27C010VE150拓展信息
ON Semiconductor
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